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元砷光电科技股份有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | TW200703702 | 发光二极体 | 2007.01.16 | 一种发光二极体(LED)。此发光二极体至少包括底座、第一电性基板位于底座之上、反射层位于底座与第一电 |
| 2 | TW200737546 | 发光二极体之覆晶基板及其制造方法与应用 | 2007.10.01 | 一种发光二极体之覆晶基板及其制造方法与应用。此发光二极体之覆晶基板至少包括主体、二第一接触层、第一与 |
| 3 | TW200818538 | 发光二极体及其制造方法 | 2008.04.16 | 一种发光二极体及其制造方法。发光二极体至少包括一基板、一发光磊晶结构以及一反射结构。发光磊晶结构位于 |
| 4 | TWI269463 | 高亮度发光二极体之制作方法 | 2006.12.21 | 一种高亮度发光二极体(Light-emitting Diode；LED)之制作方法。在本方法中，首先 |
| 5 | TW200737538 | 发光二极体及其制造方法 | 2007.10.01 | 一种发光二极体(LED)及其制造方法。此发光二极体之制造方法，至少包括下列步骤。提供一发光磊晶结构， |
| 6 | TW200814360 | 发光元件及其制造方法 | 2008.03.16 | 一种发光元件及其制造方法。此发光元件至少包括一镁化物缓冲结构、一透明基板以及一发光磊晶结构。镁化物缓 |
| 7 | CN1641889A | 发光二极管结构 | 2005.07.20 | 本发明是关于一种发光二极管结构，包括：一基底；一n型第一束缚层形成于基底上；一第一n型电极形成于第一 |
| 8 | CN1641890A | 发光二极管及其制造方法 | 2005.07.20 | 本发明是关于一种发光二极管及其制造方法，其是由基底、主动层、下束缚层、上束缚层、阳极电极以及阴极电极 |
| 9 | CN1641891A | 覆晶式发光二极管封装结构 | 2005.07.20 | 本发明是关于一种覆晶式发光二极管封装结构，包括子基座、图案化导电膜、发光二极管芯片以及凸块。其中子基 |
| 10 | CN1641327A | 紫外光检测器 | 2005.07.20 | 本发明是关于一种紫外光检测器，其主要是将一高电阻率的氮化镓基础中间层导入元件结构中，由于其具有良好的 |
| 11 | TWI240443 | 发光二极体及其制造方法 | 2005.09.21 | 本发明揭露一种发光二极体(Light-emitting Diode； LED)及其制造方法。发光二极 |
| 12 | TWI255051 | 发光二极体结构 | 2006.05.11 | 一种发光二极体结构，此结构包括半导体层、透明导电层、第一电极、第二电极以及透明保护层。其中，半导体层 |
| 13 | TW200826313 | 发光二极体及其制造方法 | 2008.06.16 | 一种发光二极体及其制造方法。此发光二极体至少包括:一金属基板;一反射层位于金属基板上,其中反射层之一 |
| 14 | TW200836366 | 发光二极体元件及其制造方法 | 2008.09.01 | 一种发光二极体元件，包括：金属基板、发光磊晶结构、以及一第一电性电极。其中发光磊晶结构位于金属基板上 |
| 15 | TW200834978 | 发光二极体与其制造方法 | 2008.08.16 | 一种发光二极体与其制造方法。此发光二极体的制造方法至少包含：依序形成接合层、金层反射层、几何图案层、 |
| 16 | TW200834969 | 发光二极体及其制造方法 | 2008.08.16 | 一种发光二极体及其制造方法。此发光二极体至少包括：一导电基板具有相对之第一表面以及第二表面；一反射结 |
| 17 | TW200834979 | 固态发光元件的制造方法及其应用 | 2008.08.16 | 一种固态发光元件的制造方法，包括下述步骤：首先提供磊晶基板。再于磊晶基板上形成图案化罩幕(Mask) |
| 18 | TW200828629 | 发光二极体结构与其制造方法 | 2008.07.01 | 一种可提升发光二极体(LED)晶粒辨识率之发光二极体结构与其制造方法。其系于N型)电极垫下方,保留一 |
| 19 | TW200828628 | 高效率发光二极体及其制造方法 | 2008.07.01 | 一种高效率发光二极体及其制造方法。高效率发光二极体至少包括:永久基板;第一及第二接触金属层分别设于永 |
| 20 | TW200828627 | 发光二极体与其制造方法 | 2008.07.01 | 一种发光二极体与其制造方法。此发光二极体的制造方法至少包含:提供成长基材;形成磊晶结构于成长基材的一 |
| 21 | TW200828626 | 发光二极体及其制造方法 | 2008.07.01 | 一种发光二极体(LED)及其制造方法。此发光二极体至少包括:一导电基板具有相对之第一表面以及第二表面 |
| 22 | TW200828624 | 发光二极体及其制造方法 | 2008.07.01 | 一种发光二极体(LED)及其制造方法。发光二极体至少包括一基板、一反射结构、一缓冲层以及一发光磊晶结 |
| 23 | TW200828623 | 发光二极体及其制造方法 | 2008.07.01 | 一种发光二极体及其制造方法。此发光二极体至少包括:一导电基板;一第二电性电极设于导电基板上;一发光磊 |
| 24 | TW200828621 | 发光二极体之制造方法 | 2008.07.01 | 一种发光二极体(LED)之制造方法,至少包括:提供一成长基板;形成一第一发光二极体于成长基板上,其中 |
| 25 | TW200822392 | 固态发光元件及其应用 | 2008.05.16 | 一种固态发光元件(Solid State Lighting Device)包括:基板、发光单元、反光 |
| 26 | TW200822386 | 发光二极体 | 2008.05.16 | 一种发光二极体(LED),至少包括:一第一电性电极;一基板位于第一电性电极上;一发光磊晶结构位于基板 |
| 27 | TW200819911 | 奈米转印制程 | 2008.05.01 | 一种奈米转印制程,至少包括:提供具有相对之第一与第二表面的模仁,且模仁之第一表面设有第一图案结构;在 |
| 28 | TW200816509 | 基板结构及其制造方法与应用 | 2008.04.01 | 一种基板结构及其制造方法与应用。此基板结构适用于一发光二极体，此基板结构至少包括：一基板，具有一表面 |
| 29 | TW200802943 | 奈米图案之制造方法及其在发光元件上之应用 | 2008.01.01 | 一种奈米图案之制造方法及其在发光元件上之应用。本奈米图案之制造方法至少包括下列步骤。先形成金属层于基 |
| 30 | CN100356592C | 发光二极管及其制造方法 | 2007.12.19 | 本发明是关于一种发光二极管及其制造方法，其是由基底、主动层、下束缚层、上束缚层、阳极电极以及阴极电极 |
| 31 | TW200744147 | 磁力式晶粒整列承载机构 | 2007.12.01 | 提供一种适用于晶粒分类整列(Die Sorting Process)制程的磁力式晶粒整列承载机构，包 |
| 32 | CN100347867C | 发光二极管的焊球制造工艺 | 2007.11.07 | 一种发光二极管的焊球制造工艺，首先提供一发光二极管芯片，而发光二极管芯片具有多个电极，接着放置一模板 |
| 33 | CN100341162C | 发光二极管结构 | 2007.10.03 | 本发明是关于一种发光二极管结构，该结构包括一半导体层、一第一电极及一第二电极，其中半导体层至少包括一 |
| 34 | TW200735402 | 发光二极体及其制造方法 | 2007.09.16 | 一种发光二极体(LED)及其制造方法。此发光二极体至少包括键合基板、与键合基板接合之合金导电层、以及 |
| 35 | TW200721408 | 发光元件及其制程 | 2007.06.01 | 一种发光元件及其制程。在此发光元件之制程中，先提供第一胶带，其中第一胶带具有相对之第一表面以及第二表 |
| 36 | TW200717845 | 发光二极体结构 | 2007.05.01 | 一种发光二极体结构，适于藉由第一电压与第二电压驱动，此发光二极体结构包括发光二极体晶片与静电放电保护 |
| 37 | TW200713632 | 发光二极体之制造方法 | 2007.04.01 | 一种发光二极体之制造方法，至少包括下列步骤。先提供基板。接下来，形成发光磊晶结构于基板上，其中此发光 |
| 38 | TW200701503 | 发光二极体及其制造方法 | 2007.01.01 | 一种发光二极体(LED)及其制造方法。本发光二极体至少包括第一基板、发光磊晶结构设于第一基板之一表面 |
| 39 | TW200701507 | 发光二极体 | 2007.01.01 | 一种发光二极体(LED)，至少包括一发光二极体晶粒以及一封装结构。封装结构包覆住发光二极体晶粒，其中 |
| 40 | TWI265646 | 发光二极体结构 | 2006.11.01 | 一种发光二极体结构，适于藉由第一电压与第二电压驱动，此发光二极体结构包括发光二极体晶片与静电放电保护 |
| 41 | TW200637020 | 光检测器 | 2006.10.16 | 一种光检测器(Photodetector)，至少包括：基板；第一n型Ⅲ–Ⅴ族化合物半导体层位于基板上 |
| 42 | TW200633247 | 发光二极体之制造方法 | 2006.09.16 | 一种发光二极体之制造方法，至少包含：提供一基板，其中此基板上至少包括依序堆叠之一第一导电型披覆层、一 |
| 43 | TWI260795 | 覆晶式发光二极体封装结构 | 2006.08.21 | 一种覆晶式发光二极体封装结构包含一萧特基二极体群、一发光二极体及多个凸块，其中萧特基二极体群系包含多 |
| 44 | TW200623442 | 发光二极体及其制造方法 | 2006.07.01 | 本发明揭露一种发光二极体(Light–emitting Diode；LED)及其制造方法。发光二极体 |
| 45 | TWI256157 | 发光二极体之制造方法 | 2006.06.01 | 一种发光二极体之制造方法，至少包括下列步骤。先提供基板。接下来，形成发光磊晶结构于基板上，其中此发光 |
| 46 | TW200614540 | 高亮度发光二极体之制作方法 | 2006.05.01 | 一种高亮度发光二极体(Light–emitting Diode；LED)之制作方法。在本方法中，首先 |
| 47 | TWI251357 | 发光二极体及其制造方法 | 2006.03.11 | 一种发光二极体(LED)及其制造方法。本发光二极体至少包括第一基板、发光磊晶结构设于第一基板之一表面 |
| 48 | TWI250671 | 发光二极体之制造方法 | 2006.03.01 | 一种发光二极体之制造方法，至少包含：提供一基板，其中此基板上至少包括依序堆叠之一第一导电型披覆层、一 |
| 49 | TWI250664 | 白光发光二极体 | 2006.03.01 | 一种白光发光二极体，至少包括一激发光源及一萤光粉，其中激发光源可发出波长介于440nm至490nm间 |
| 50 | TWI244768 | 光检测器 | 2005.12.01 | 一种光检测器(Photodetector)，至少包括：基板；第一n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体层位于基板上 |
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